产品称号：

场效应管NDF10N60ZG

产品特征：
介质质料：
使用范畴：
功率特征：
频率特征：
调治方法：
引线范例：
泄电流：

产品参数

型号

型号	V(BR)DSS	RDS(ON) (MAX) @ 5 A	ID	VGS	产品规格书
NDF10N60Z	650v	0.75Ω	10A	±30v

场效应管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。次要有两品种型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由少数载流子到场导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输出电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、静态范畴大、易于集成、没有二次击穿征象、宁静事情地区宽等好处，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的壮大竞争者。

场效应管（FET）是使用控制输出回路的电场效应来控制输入回路电流的一种半导体器件，并以此定名。

由于它仅靠半导体中的少数载流子导电，又称单极型晶体管。

FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。

场效应督工作原理

用一句话说，便是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结构成的反偏的栅极电压控制ID”。改正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变革，发生耗尽层扩展变革控制的缘故。在VGS=0的非饱和地区，表现的过渡层的扩展由于不很大，依据漏极-源极间所加VDS的电场，源极地区的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID活动。从门极向漏极扩展的过分层将沟道的一局部组成梗塞型，ID饱和。将这种形态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一局部拦截，并不是电流被堵截。

在过渡层由于没有电子、空穴的自在挪动，在抱负形态下简直具有绝缘特征，通常电流也难活动。但此时漏极-源极间的电场，实践上是两个过渡层打仗漏极与门极下部左近，由于漂移电场拉去的高速电子经过过渡层。因漂移电场的强度简直稳定发生ID的饱和征象。其次，VGS向负的偏向变革，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大抵成为掩盖全地区的形态。并且VDS的电场大局部加到过渡层上，将电子拉向漂移偏向的电场，只要接近源极的很短局部，这更使电流不克不及流畅。

场效应管的作用

1.场效应管可使用于缩小。由于场效应管缩小器的输出阻抗很高，因而耦合乐鱼可以容量较小，不用利用电解乐鱼器。
2.场效应管很高的输出阻抗十分合适作阻抗变更。常用于多级缩小器的输出级作阻抗变更。
3.场效应管可以用作可变电阻。
4.场效应管可以利便地用作恒流源。
5.场效应管可以用作电子开关。